半导体工业用纯水指标及制水技术优势
在工业生产过程中通常需要采用超纯水用于器件的清洗,提高产品的质量,超纯水一般采用应用反渗透+EDI技术的工业高纯水设备制取而来,目前这种方法是适合用于制取超纯水的,根据行业的不同所需水质自然也就不同。
电子工业超纯水设备制水技术优势:
电子半导体工业在生产过程中对与超纯水的需求量也非常大,采用反渗透+EDI技术制取半导体工业用水主要有如下优势:
1、无需酸碱再生:在混床中树脂需要用化学药品酸碱再生,且需要安全储存酸碱的车间, 再生时有大量有害废水和废弃物需处理,增加了环保和安全方面的工作困难。 而EDI则消除了这些有害物质的处理和繁重的工作。保护了环境。
2、连续、简单的操作:在混床中由于每次再生和水质量的变化,使操作过程变得复杂,而EDI的产水过程是稳定的连续的,产水水质是恒定的,没有复杂的操作程序,操作大大简便化。
3、降低了安装的要求:EDI系统与相当处理水量的混床相比,有较不的体积,它采用积木式结构,可依据场地的高度和窨灵活地构造。模块化的设计,使EDI在生产工作时能方便维护。
半导体工业用纯水指标:
美国半导体工业用纯水指标 |
||||
化学指标单位:μg/L |
||||
项 目 |
Ⅰ级 |
Ⅱ级 |
Ⅲ级 |
Ⅳ级 |
残渣,mg/L |
0.1 |
0.3 |
0.3 |
0.5 |
TOC,mg/L |
0.02 |
0.05 |
0.1 |
0.4 |
颗粒,粒/L |
500 |
1000 |
2500 |
5000 |
细菌数,个100mL |
0 |
6 |
10 |
50 |
活性硅SiO2,μg/L |
3 |
5 |
10 |
40 |
电阻率MΩ·cm |
18.3 |
17.9 |
17.5 |
17 |
阳离子,μg/L |
0.2 |
2 |
5 |
* |
铝 Al3+ |
0.2 |
2 |
5 |
* |
铵 NH4+ |
0.3 |
0.3 |
0.5 |
* |
铬 Cr6+ |
0.02 |
0.1 |
0.5 |
* |
铁 Fe 3+ |
0.02 |
0.1 |
0.2 |
* |
铜 Cu 2+ |
0.02 |
0.1 |
0.5 |
* |
锰 Mn 2+ |
0.05 |
0.5 |
1 |
* |
钾 K + |
0.1 |
0.3 |
1 |
4 |
钠 Na + |
0.05 |
0.2 |
1 |
5 |
锌 Zn 2+ |
0.03 |
0.1 |
0.5 |
* |
阴离子,μg/L |
0.1 |
0.1 |
0.3 |
* |
溴 Br - |
0.1 |
0.1 |
0.3 |
* |
氯 Cl - |
0.05 |
0.2 |
0.8 |
* |
亚硝酸根 NO2- |
0.05 |
0.1 |
0.3 |
* |
硝酸根 NO3- |
0.1 |
0.1 |
0.5 |
* |
磷酸根 PO43- |
0.2 |
0.2 |
0.3 |
* |
硫酸根 SO42- |
0.05 |
0.3 |
1 |
* |
*此值未定。 |
反渗透+EDI这种操作简便,无污染的半导体电子工业超纯水制备技术,已经被越来越多的人认可,目前也已经在众多电子工业厂家普及使用了。