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半导体工业用纯水指标及制水技术优势

文章出处:作者:发表时间:2013-09-10 14:01:10

  在工业生产过程中通常需要采用超纯水用于器件的清洗,提高产品的质量,超纯水一般采用应用反渗透+EDI技术的工业高纯水设备制取而来,目前这种方法是适合用于制取超纯水的,根据行业的不同所需水质自然也就不同。

  电子工业超纯水设备制水技术优势:

  电子半导体工业在生产过程中对与超纯水的需求量也非常大,采用反渗透+EDI技术制取半导体工业用水主要有如下优势:

  1、无需酸碱再生:在混床中树脂需要用化学药品酸碱再生,且需要安全储存酸碱的车间, 再生时有大量有害废水和废弃物需处理,增加了环保和安全方面的工作困难。 而EDI则消除了这些有害物质的处理和繁重的工作。保护了环境。

  2、连续、简单的操作:在混床中由于每次再生和水质量的变化,使操作过程变得复杂,而EDI的产水过程是稳定的连续的,产水水质是恒定的,没有复杂的操作程序,操作大大简便化。

  3、降低了安装的要求:EDI系统与相当处理水量的混床相比,有较不的体积,它采用积木式结构,可依据场地的高度和窨灵活地构造。模块化的设计,使EDI在生产工作时能方便维护。

 

  半导体工业用纯水指标: 

美国半导体工业用纯水指标

化学指标单位:μg/L

项 目

Ⅰ级

Ⅱ级

Ⅲ级

Ⅳ级

残渣,mg/L

0.1

0.3

0.3

0.5

TOCmg/L

0.02

0.05

0.1

0.4

颗粒,粒/L

500

1000

2500

5000

细菌数,个100mL

0

6

10

50

活性硅SiO2,μg/L

3

5

10

40

电阻率MΩ·cm

18.3

17.9

17.5

17

阳离子,μg/L

0.2

2

5

*

Al3+

0.2

2

5

*

NH4+

0.3

0.3

0.5

*

Cr6+

0.02

0.1

0.5

*

Fe 3+

0.02

0.1

0.2

*

Cu 2+

0.02

0.1

0.5

*

Mn 2+

0.05

0.5

1

*

K +

0.1

0.3

1

4

Na +

0.05

0.2

1

5

Zn 2+

0.03

0.1

0.5

*

阴离子,μg/L

0.1

0.1

0.3

*

Br -

0.1

0.1

0.3

*

Cl -

0.05

0.2

0.8

*

亚硝酸根 NO2-

0.05

0.1

0.3

*

硝酸根 NO3-

0.1

0.1

0.5

*

磷酸根 PO43-

0.2

0.2

0.3

*

硫酸根 SO42-

0.05

0.3

1

*

*此值未定。

  反渗透+EDI这种操作简便,无污染的半导体电子工业超纯水制备技术,已经被越来越多的人认可,目前也已经在众多电子工业厂家普及使用了。

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