多晶硅超纯水设备为多晶硅清洗过程提供优质超纯水

　　多晶硅片，半导体器件等清洗过程中所需的纯水需要符合国家《电子级水质标准》18.2兆以上，目前有效的制水工艺就是预处理加反渗透加EDI技术工艺。

　　多晶硅超纯水设备工艺详细说明

　　即预处理采用盘滤过滤器+超滤工艺，除盐采用二级反渗透+EDI工艺使産水电阻率达到15MΩ.cm以上，终端供水采用变频供水泵+二级精精混床+终端超滤膜使産水电阻率达到18.2MΩ.cm，经处理后的产水水质达到《电子级水GB/T11446.1-1997 Ⅰ级》水质标准。

　　超纯水设备关键技术EDI系电渗析(ED)与反渗透技术的有机结合，达到连续除盐、运行维护简单、无酸碱排放污染。在膜处理系统中，用做前处理的超滤一般使用直径1mm的中空纤维，以脱除原水中的悬浮物及胶体，UF用作前处理的问题是膜污染及膜孔堵塞，为此常在前面设置预过滤器，以去除大粒径悬浮物，在预过滤前加絮凝剂，如PAC(聚丙稀酸)可提高过滤水质，并降低膜阻力。对电厂锅炉补给水系统要求的溶氧量一般要求为0.3 mg/L以下,为此脱气膜应该在低于5.33Kpa(40TORR)的真空度下操作。控制系统采用工控机程控控制，可实现自动起停，加药及冲洗，自动监测各种运行参数，以便生产管理。

　　多晶硅清洗用edi超纯水设备与同类产品的优势

　　edi超纯水设备从设计上，采用成熟、可靠、先进、自动化程度高的两级RO+EDI水处理工艺，预处理采用盘滤过滤器+超滤工艺，除盐采用二级反渗透+EDI工艺使产水电阻率达到15MΩ.cm以上，终端供水采用变频供水泵+二级精精混床+终端超滤膜确保处理后的超纯水水质电阻率达到18.2MΩ.cm，利用率高，运行可靠，经济合理。

　　此套设备从技术上就采用国内外流行的反渗透加EDI技术，且采用PLC+触摸屏控制，edi高纯水设备的运行自动化程度高，稳定性高。大大节省人力成本和维护成本。使设备与其它同类产品相比较，具有更高的性价比和设备可靠性。